1、首先去除矽片表面的有機沾汙，因為有機物會遮蓋部分矽片表面，從而使氧化膜和與之相關的沾汙難以去除；2、然後溶解氧化膜，因為氧化層是“沾汙陷阱”，也會引入外延缺陷；最後再去除顆粒、金屬等沾汙，同時使矽片表面鈍化。
